【本報訊】中芯國際（981）7至9月的第3季度錄得虧損2560萬美元（1.98億港元），主要受記憶晶圓（DRAM）市場價格嚴重下滑拖累。總執行長張汝京在電話會議上表示，第4季業績料繼續被DRAM虧損拖累，公司內部估計，第4季DRAM的虧損介乎2200萬至3000萬美元，雖然高端晶片業務的盈利會繼續上升，但預料第4季整體仍會繼續虧損。
張汝京指出，DRAM的價格波幅大，難以預測其走勢，惟他個人認為，DRAM的價格不會再下調，最壞的時間已過去，「若DRAM單價跌至1美元，沒有廠商可承受及願意再生產。」
產高端品補晶圓虧損
另外，中芯於第三季須為DRAM存貨跌價作出1000萬美元的撥備，張汝京未有回應，來季是否須為DRAM增加撥備，只表示管理層已有計劃降低DRAM業務的比重，惟因須照顧部份客戶需要，中芯不會全面撤出此業務，長遠來說他相信DRAM仍有利可圖。中芯香港代表陳慧蕊補充，集團會增加高端的FLASH產品比重，以抵銷DRAM的虧損。
中芯昨收報0.88元，跌1.12%。法巴新發表的研究報告，指無迹象顯示中芯來季可虧轉盈，將中芯的目標價由0.9元調低至0.8元，維持「減持」評級。瑞銀認為，儘管中芯業績無甚改善，但仍維持其「中性」評級及1元的目標價。