巨磁電阻效應不但為資訊科技業帶來新革命，還可能促成磁性隨機記憶體（MagnetoresistiveRandomAccessMemory，簡稱MRAM）的出現，成為全球通用的新一代記憶體，取代現有的RAM和磁碟機。
MRAM是利用具高敏感度的磁電阻材料製造的記憶體，基本單位由磁性、非磁性和磁性三層薄膜堆叠構成。跟上一代儲存裝置比較，MRAM是用磁荷而非電荷來存儲數據，速度也遠勝前者，例如較目前業界標準的DRAM快六倍，也較快閃記憶體快得多。
此外，RAM和硬碟機都是透過電荷存儲數據，一旦遇上電源突然消失，所有未經儲存的資料都會失去。但MRAM是用磁荷存儲數據，換言之，即使電腦突然被切掉電源，MRAM會記得儲存內容，下次開機時，電腦會從中斷的位置開機，所以資料是永久保存的。除了資料永久保存外，MRAM還有耗電量低和抗輻射等優點。
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